Validation of simulated integrated circuit reliability in conjunction with field data

Avshalom Hava, Jin Qin, Joseph B. Bernstein

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

2 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

A thorough reliability analysis of integrated circuit field failure data, recorded from 2002 to 2009, is utilized in order to generate real failure rates for various device process technologies and feature sizes (or "technology nodes"). The results of this analysis are used to verify Physics-of-Failure (PoF) models and a competing failure approach, as implemented in a new reliability prediction methods - FaRBS (Failure Rate Based Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis). Comparison of the simulated and the actual field failure rates demonstrate that the simulation agrees very well with the field failure and a strong correlation of 80% is achieved.

שפה מקוריתאנגלית
כותר פרסום המארחProceedings of the 2011 - Grand Challenges in Modeling and Simulation Conference, GCMS 2011
עמודים362-369
מספר עמודים8
סטטוס פרסוםפורסם - 2011
פורסם באופן חיצוניכן
אירוע4th Grand Challenges in Modeling and Simulation Conference, GCMS 2011 - The Hague, הולנד
משך הזמן: 27 יוני 201130 יוני 2011

סדרות פרסומים

שםProceedings of the 2011 - Grand Challenges in Modeling and Simulation Conference, GCMS 2011

כנס

כנס4th Grand Challenges in Modeling and Simulation Conference, GCMS 2011
מדינה/אזורהולנד
עירThe Hague
תקופה27/06/1130/06/11

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Validation of simulated integrated circuit reliability in conjunction with field data'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי