Ultra-fast characterization of transient gate oxide trapping in SiC MOSFETs

M. Gurfinkel, J. Suehle, J. B. Bernstein, Yoram Shapira, A. J. Lelis, D. Habersat, N. Goldsman

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

19 ציטוטים ‏(Scopus)

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Ultra-fast characterization of transient gate oxide trapping in SiC MOSFETs'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

Keyphrases

Engineering