דילוג לניווט ראשי דילוג לחיפוש דילוג לתוכן הראשי

The TeraMOS sensor for monolithic passive THz imagers

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

20 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

We report of a new sensor, which is based on several leading technologies: THz photonics, CMOS-SOI (Silicon-on-Insulator) and MEMS/NEMS (Micro/Nano Electro Mechanical Systems). By introducing the TeraMOS sensor, which may be directly integrated with the CMOS-SOI readout circuitry, we expect to achieve a breakthrough in Terahertz passive imaging (0.5-1.5 THz) both in performance and cost. NEP (Noise Equivalent Power) of the order of 1 pW/Hz 1/2 and NETD (Noise Equivalent Temperature Difference) of ∼0.5K is expected at room temperature. Preliminary electro-optical measurements are presented.

שפה מקוריתאנגלית
כותר פרסום המארח2011 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2011
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 2011
אירוע2011 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2011 - Tel Aviv, ישראל
משך הזמן: 7 נוב׳ 20119 נוב׳ 2011

סדרות פרסומים

שם2011 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2011

כנס

כנס2011 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2011
מדינה/אזורישראל
עירTel Aviv
תקופה7/11/119/11/11

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'The TeraMOS sensor for monolithic passive THz imagers'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי