דילוג לניווט ראשי דילוג לחיפוש דילוג לתוכן הראשי

The Effects of Process Variations and BTI in Packaged FinFET Devices

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

1 ציטוט ‏(Scopus)

תקציר

A correlation between device reliability and process variations in packaged devices is identified. Weibull distribution statistics are used in a novel method for finding the limit of precision possible for time-to-failure averaging. This study identifies increase of variance due to process variation with size scaling in three generations of technologies. There is a linear decrease in precision threshold which correlates to the size of the device. The results present a concern of BTI in technologies from 16nm and below.

שפה מקוריתאנגלית
כותר פרסום המארח2023 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023 - Proceedings
מוציא לאורInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
מסת"ב (אלקטרוני)9781665456722
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 2023
אירוע61st IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023 - Monterey, ארצות הברית
משך הזמן: 26 מרץ 202330 מרץ 2023

סדרות פרסומים

שםIEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
כרך2023-March
ISSN (מודפס)1541-7026

כנס

כנס61st IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023
מדינה/אזורארצות הברית
עירMonterey
תקופה26/03/2330/03/23

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'The Effects of Process Variations and BTI in Packaged FinFET Devices'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי