The contribution of HFO 2 bulk oxide traps to dynamic NBTI in PMOSFET'S

B. Zhu, J. S. Suehle, E. Vogel, J. B. Bernstein

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

1 ציטוט ‏(Scopus)

תקציר

The Negative Bias Temperature Instability (NBTI) under pulsed bias stress conditions of devices with HfO 2 and SiO 2 gate dielectrics are studied and compared. The pulsed stress frequency responses of threshold voltage shift (ΔV th) are quite different for both dielectrics as well as the acceleration parameters. Bulk traps in the HfO 2 film is used to explain these differences. Furthermore, it is shown that cautions must be taken when extrapolating the device lifetime of HfO 2 gate dielectrics.

שפה מקוריתאנגלית
כותר פרסום המארח2005 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 43rd Annual
עמודים533-537
מספר עמודים5
סטטוס פרסוםפורסם - 2005
פורסם באופן חיצוניכן
אירוע2005 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 43rd Annual - San Jose, CA, ארצות הברית
משך הזמן: 17 אפר׳ 200521 אפר׳ 2005

סדרות פרסומים

שםIEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
ISSN (מודפס)1541-7026

כנס

כנס2005 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 43rd Annual
מדינה/אזורארצות הברית
עירSan Jose, CA
תקופה17/04/0521/04/05

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'The contribution of HFO 2 bulk oxide traps to dynamic NBTI in PMOSFET'S'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי