Recombination mechanisms in p-type HgCdTe: Freezeout and background flux effects

S. E. Schacham, E. Finkman

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

165 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

The recombination mechanisms in HgCdTe are analyzed. Detailed expressions for the radiative lifetime are presented, taking into account recent measurements of the absorption coefficient. In p-type material, carrier freezeout is shown to increase the lifetime exponentially for the radiative and the Auger processes at low temperatures. The effect of background flux is introduced, taking into account its variation with temperature due to the change in energy gap. Lifetime measurements on p-type samples are in good agreement with combined Auger 7 and radiative mechanisms, where the Auger process is more effective for low x values. Highly compensated materials are dominated by the Shockley-Read recombination. For all samples, the intrinsic region is controlled entirely by the Auger process.

שפה מקוריתאנגלית
עמודים (מ-עד)2001-2009
מספר עמודים9
כתב עתJournal of Applied Physics
כרך57
מספר גיליון6
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 1985
פורסם באופן חיצוניכן

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Recombination mechanisms in p-type HgCdTe: Freezeout and background flux effects'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי