Properties of insulator interfaces with ρ-HgCdTe

S. E. Schacham, E. Finkman

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

6 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

Heat treatment at 70 °C of low carrier concentration p-type HgCdTe samples (p0= 8x 10 cm-3) generates an inverted surface layer. A two day anneal process below 95 °C did not affect the Hall coefficient, whereas an almost complete recovery was obtained by annealing at 120 °C. While bulk electron mobility, obtained from PEM data, remained high (about 9 X 10 cm/Vs at 77 K), surface mobility is lower by more than an order of magnitude. Surface recombination velocity indicates a continuous improvement with increased temperature, and the activation energy remains equal to the vacancies energy level. The proposed mechanism is that of positive charges in the sulfide migrating towards the interface and generating an image inversion layer.

שפה מקוריתאנגלית
עמודים (מ-עד)1171-1173
מספר עמודים3
כתב עתJournal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
כרך8
מספר גיליון2
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - מרץ 1990
פורסם באופן חיצוניכן

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Properties of insulator interfaces with ρ-HgCdTe'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי