דילוג לניווט ראשי
דילוג לחיפוש
דילוג לתוכן הראשי
אוניברסיטת אריאל בשומרון בית
עזרה ושאלות נפוצות
English
עברית
العربية
בית
פרופילים
יחידות מחקר
ציוד
פרסומים מחקריים
פרסים
פעילויות
עיתונות/תקשורת
חיפוש לפי מומחיות, שם או שיוך
Photoconductivity of Ge/Si quantum dot photodetectors
N. Rappaport
, E. Finkman
, P. Boucaud
, S. Sauvage
, T. Brunhes
, V. Le Thanh
, D. Bouchier
,
S. E. Schacham
הנדסת חשמל ואלקטרוניקה
פרסום מחקרי
:
פרסום בכתב עת
›
מאמר
›
ביקורת עמיתים
11
ציטוטים (Scopus)
סקירה כללית
טביעת אצבע
טביעת אצבע
להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Photoconductivity of Ge/Si quantum dot photodetectors'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.
מיון לפי
משקל
לפי סדר האלפבית
Keyphrases
Photoconductivity
100%
SiGe
100%
Dark Current
100%
Silicon Quantum Dots (Si QDs)
100%
Quantum Dot Photodetector
100%
Photoluminescence
33%
Current Limiting
33%
Electronic Structure
33%
Photoinduced
33%
Optical Techniques
33%
Induced Current
33%
Electrical Method
33%
Photoconductive
33%
Quantum Well Infrared Photodetector
33%
Multiple Peaks
33%
Infrared Absorption
33%
I-V Characteristics
33%
Relative Intensity
33%
Intensity Change
33%
Direct Doping
33%
Dark Current Measurement
33%
Engineering
Quantum Dot
100%
Photometer
100%
Current Limit
50%
Current-Voltage Characteristic
50%
Infrared Absorption
50%
Current Measurement
50%
Dot Layer
50%
Electronic State
50%
Energy Levels
50%
Physics
Quantum Dot
100%
Photometer
100%
Dark Current
100%
Photoconductivity
100%
Energy Levels
25%
Infrared Absorption
25%
Photoluminescence
25%