p-channel MIS double-metal process InSb monolithic unit cell for infrared imaging

Avishai Kepten, Yosef Y. Shacham-Diamand, S. E. Schacham

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

4 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

A new approach to the fabrication of monolithic infrared focal plane arrays is presented and examined in this paper. The array is based on photovoltaic diodes, parallel integration capacitors, and MIS field effect transistors (FET). The photodiode is connected directly to the integrating capacitor while the MISFET serves as a pass gate to the video line. This configuration is operated in the pseudo-staring mode. The array was implemented in InSb, in a process based on a new passivation in which a photo chemical oxidation of InSb is followed by a conventional photo chemical SiO2 growth. A two-level metallization process was developed serving both for electrical connection and optical coverage. Two configurations were tested for the layout of the two metal layers. In addition, the lower metallization was implemented in Cr, Ti, and Al. The optimal structure is a planar array with Cr as the first metal layer which forms the source and drain contacts.

שפה מקוריתאנגלית
כותר פרסום המארחProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
עמודים305-316
מספר עמודים12
סטטוס פרסוםפורסם - 1992
פורסם באופן חיצוניכן
אירועInfrared Detectors and Focal Plane Arrays II - Orlando, FL, USA
משך הזמן: 23 אפר׳ 199224 אפר׳ 1992

סדרות פרסומים

שםProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
כרך1685
ISSN (מודפס)0277-786X

כנס

כנסInfrared Detectors and Focal Plane Arrays II
עירOrlando, FL, USA
תקופה23/04/9224/04/92

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'p-channel MIS double-metal process InSb monolithic unit cell for infrared imaging'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי