Novel method of low-vacuum plasma triode sputtering

G. Golan, A. Axelevitch

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

9 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

A novel sputtering method based on a triode-sputtering set-up is presented. This low-vacuum plasma method enables sputtering of thin films at a pressure range 0.2-5mTorr, using a supported gas discharge. The new method is capable of an independent control of the sputtering rate vs. sputtering voltage. Temperature distribution of electrons in the plasma was experimentally studied, using the Langmuir probe. Experimental sputtering results of Ti and Si layers, using this method, are described.

שפה מקוריתאנגלית
עמודים (מ-עד)651-657
מספר עמודים7
כתב עתMicroelectronics Journal
כרך33
מספר גיליון8
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - אוג׳ 2002
פורסם באופן חיצוניכן

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Novel method of low-vacuum plasma triode sputtering'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי