תקציר
A series of experiments are conducted to study the physical mechanism of reduced NBTI effects observed under pulsed bias conditions. A reduction of Vth and Ion is observed for pulse periods shorter than critical time constants that are believed to be associated with hole trapping and detrapping processes. A two time constant model is developed to explain the reduction of Vth and Ion as a function of pulse repetition frequency.
| שפה מקורית | אנגלית |
|---|---|
| מספר המאמר | 1315453 |
| עמודים (מ-עד) | 689-690 |
| מספר עמודים | 2 |
| כתב עת | IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings |
| כרך | 2004-January |
| מספר גיליון | January |
| מזהי עצם דיגיטלי (DOIs) | |
| סטטוס פרסום | פורסם - 2004 |
| פורסם באופן חיצוני | כן |
| אירוע | 42nd Annual IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2004 - Phoenix, ארצות הברית משך הזמן: 25 אפר׳ 2004 → 29 אפר׳ 2004 |
טביעת אצבע
להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Mechanism for reduced NBTI effect under pulsed bias stress conditions'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.פורמט ציטוט ביבליוגרפי
- APA
- Author
- BIBTEX
- Harvard
- Standard
- RIS
- Vancouver