Latent reliability degradation of ultra-thin oxides after heavy ion and γ-ray irradiation

Bin Wang, J. S. Suehle, E. M. Vogel, J. R. Conley, C. E. Weintraub, A. H. Johnston, J. B. Bernstein

פרסום מחקרי: תוצר מחקר מכנסהרצאהביקורת עמיתים

7 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

We studied the effects of heavy ion and γ-ray irradiation on radiation-induced leakage current (RILC) and time-dependent dielectric breakdown (TDDB) life distributions of ultra-thin oxides (<3.5 nm). Thermal annealing experiments were carried out on irradiated devices to study the nature of RILC. TDDB experiments were also performed on irradiated devices with thermal annealing. Our results show that gamma irradiation had a minimal effect on intrinsic TDDB lifetime of ultra-thin oxides. However, heavy ion irradiation induced RILC and substantially reduced the lifetime of ultra-thin oxide films. Thermal annealing experiments suggests that RILC is due to trapped holes. Removal of RILC (and holes) do not improve TDDB lifetime.

שפה מקוריתאנגלית
עמודים16-19
מספר עמודים4
סטטוס פרסוםפורסם - 2001
פורסם באופן חיצוניכן
אירוע2001 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report - Lake Tahoe, CA, ארצות הברית
משך הזמן: 15 אוק׳ 200118 אוק׳ 2001

כנס

כנס2001 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report
מדינה/אזורארצות הברית
עירLake Tahoe, CA
תקופה15/10/0118/10/01

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Latent reliability degradation of ultra-thin oxides after heavy ion and γ-ray irradiation'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי