High power high voltage bias-T for half wave resonators and radio frequency quadrupole couplers

B. Kaizer, L. Weissman, A. Perry, T. Zchut, I. Fishman, J. Rodnizki, M. Eizenshtat, E. Farber

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

1 ציטוט ‏(Scopus)

תקציר

High power high voltage bias-T units capable of delivering up to 100 kW CW RF power at 176 MHz and up to 4 kV DC were developed at the Soreq Nuclear Research Center for the Soreq Applied Research Accelerator Facility linac. Two separate bias-T units with different requirements were designed for the radio frequency quadrupole couplers and the half wave resonator couplers. The purpose of this bias-T is to prevent multipacting phenomena by application of a high voltage DC bias to inner conductors of RF couplers. Underlying design principles, indigenous development, and successful off-line and on-line tests results are presented.

שפה מקוריתאנגלית
מספר המאמר053304
כתב עתReview of Scientific Instruments
כרך93
מספר גיליון5
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 1 מאי 2022

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'High power high voltage bias-T for half wave resonators and radio frequency quadrupole couplers'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי