דילוג לניווט ראשי דילוג לחיפוש דילוג לתוכן הראשי

Femto-second electron transit time characterization in GaN/AlGaN quantum cascade detector at 1.5 micron

  • A. Vardi
  • , S. Sakr
  • , J. Mangeney
  • , P. K. Kandaswamy
  • , E. Monroy
  • , M. Tchernycheva
  • , S. E. Schacham
  • , F. H. Julien
  • , G. Bahir

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

37 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

The ultra fast carrier dynamic in GaN/AlGaN quantum cascade detector was investigated using a time-resolved bias-lead monitoring technique. It is demonstrated that the intrinsic speed limitation, governed by the carrier transit time, is smaller than 1 ps, corresponding to a frequency cut off above 200 GHz.

שפה מקוריתאנגלית
מספר המאמר202111
כתב עתApplied Physics Letters
כרך99
מספר גיליון20
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 14 נוב׳ 2011

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Femto-second electron transit time characterization in GaN/AlGaN quantum cascade detector at 1.5 micron'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי