Failure dynamics of the IGBT during turn-off for undamped inductive loading conditions

Chih Chieh Shen, Allen R. Hefner, David W. Berning, Joseph B. Bernstein

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

42 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

The internal failure dynamics of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) for undamped inductive switching (UIS) conditions are studied using simulations and measurements. The UIS measurements are made using a unique, automated nondestructive reverse-bias safe operation area test system. Simulations are performed with an advanced IGBT circuit simulator model for UIS conditions to predict the mechanisms and conditions for failure. It is shown that the conditions for UIS failure and the shape of the anode voltage avalanche-sustaining waveforms during turn-off vary with the IGBT temperature, and turn-off current level. Evidence of single- and multiple-filament formation is presented and supported with both measurements and simulations.

שפה מקוריתאנגלית
עמודים (מ-עד)614-624
מספר עמודים11
כתב עתIEEE Transactions on Industry Applications
כרך36
מספר גיליון2
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 2000
פורסם באופן חיצוניכן

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Failure dynamics of the IGBT during turn-off for undamped inductive loading conditions'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי