Electromigration simulation under DC/AC stresses considering microstructure

פרסום מחקרי: פרק בספר / בדוח / בכנספרסום בספר כנסביקורת עמיתים

תקציר

In this work, we present a dynamic finite difference simulation on the stress evolution along the interconnect under both DC and AC current densities, while taking into account the inhomogeneity of grain size and grain boundary orientation. Furthermore, we related both the accelerating stress and microstructural conditions to the lifetime by assuming certain built-up stress levels as failure criteria.

שפה מקוריתאנגלית
כותר פרסום המארחProceedings of the IEEE 1999 International Interconnect Technology Conference, IITC 1999
מוציא לאורInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
עמודים41-43
מספר עמודים3
מסת"ב (אלקטרוני)0780351746, 9780780351745
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 1999
פורסם באופן חיצוניכן
אירוע1999 IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 1999 - San Francisco, ארצות הברית
משך הזמן: 24 מאי 199926 מאי 1999

סדרות פרסומים

שםProceedings of the IEEE 1999 International Interconnect Technology Conference, IITC 1999

כנס

כנס1999 IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 1999
מדינה/אזורארצות הברית
עירSan Francisco
תקופה24/05/9926/05/99

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'Electromigration simulation under DC/AC stresses considering microstructure'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי