תקציר
A new method for measuring the ambipolar mobility is described. It is based on the determination of the travel time of excess carriers between two probes. Maintaining the device under a constant voltage, the travel time is depicted as the separation between two zeros on the output trace. Using this technique the ambipolar mobility of electrons in p-type Hg 0.71Cd0.29Te was measured for the temperature range of 78-256 K.
שפה מקורית | אנגלית |
---|---|
עמודים (מ-עד) | 1161-1164 |
מספר עמודים | 4 |
כתב עת | Journal of Applied Physics |
כרך | 57 |
מספר גיליון | 4 |
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs) | |
סטטוס פרסום | פורסם - 1985 |
פורסם באופן חיצוני | כן |