A new method for measuring ambipolar mobility and its implementation in p-type HgCdTe

S. E. Schacham, E. Finkman

פרסום מחקרי: פרסום בכתב עתמאמרביקורת עמיתים

5 ציטוטים ‏(Scopus)

תקציר

A new method for measuring the ambipolar mobility is described. It is based on the determination of the travel time of excess carriers between two probes. Maintaining the device under a constant voltage, the travel time is depicted as the separation between two zeros on the output trace. Using this technique the ambipolar mobility of electrons in p-type Hg 0.71Cd0.29Te was measured for the temperature range of 78-256 K.

שפה מקוריתאנגלית
עמודים (מ-עד)1161-1164
מספר עמודים4
כתב עתJournal of Applied Physics
כרך57
מספר גיליון4
מזהי עצם דיגיטלי (DOIs)
סטטוס פרסוםפורסם - 1985
פורסם באופן חיצוניכן

טביעת אצבע

להלן מוצגים תחומי המחקר של הפרסום 'A new method for measuring ambipolar mobility and its implementation in p-type HgCdTe'. יחד הם יוצרים טביעת אצבע ייחודית.

פורמט ציטוט ביבליוגרפי