تخطي إلى التنقل الرئيسي تخطي إلى البحث تخطي إلى المحتوى الرئيسي

The TeraMOS sensor for monolithic passive THz imagers

نتاج البحث: فصل من :كتاب / تقرير / مؤتمرمنشور من مؤتمرمراجعة النظراء

20 اقتباسات (Scopus)

ملخص

We report of a new sensor, which is based on several leading technologies: THz photonics, CMOS-SOI (Silicon-on-Insulator) and MEMS/NEMS (Micro/Nano Electro Mechanical Systems). By introducing the TeraMOS sensor, which may be directly integrated with the CMOS-SOI readout circuitry, we expect to achieve a breakthrough in Terahertz passive imaging (0.5-1.5 THz) both in performance and cost. NEP (Noise Equivalent Power) of the order of 1 pW/Hz 1/2 and NETD (Noise Equivalent Temperature Difference) of ∼0.5K is expected at room temperature. Preliminary electro-optical measurements are presented.

اللغة الأصليةالإنجليزيّة
عنوان منشور المضيف2011 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2011
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرنُشِر - 2011
الحدث2011 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2011 - Tel Aviv, إسرائيل
المدة: 7 نوفمبر 20119 نوفمبر 2011

سلسلة المنشورات

الاسم2011 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2011

!!Conference

!!Conference2011 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2011
الدولة/الإقليمإسرائيل
المدينةTel Aviv
المدة7/11/119/11/11

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “The TeraMOS sensor for monolithic passive THz imagers'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا