تخطي إلى التنقل الرئيسي تخطي إلى البحث تخطي إلى المحتوى الرئيسي

The Effects of Process Variations and BTI in Packaged FinFET Devices

نتاج البحث: فصل من :كتاب / تقرير / مؤتمرمنشور من مؤتمرمراجعة النظراء

1 اقتباس (Scopus)

ملخص

A correlation between device reliability and process variations in packaged devices is identified. Weibull distribution statistics are used in a novel method for finding the limit of precision possible for time-to-failure averaging. This study identifies increase of variance due to process variation with size scaling in three generations of technologies. There is a linear decrease in precision threshold which correlates to the size of the device. The results present a concern of BTI in technologies from 16nm and below.

اللغة الأصليةالإنجليزيّة
عنوان منشور المضيف2023 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023 - Proceedings
ناشرInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
رقم المعيار الدولي للكتب (الإلكتروني)9781665456722
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرنُشِر - 2023
الحدث61st IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023 - Monterey, الولايات المتّحدة
المدة: 26 مارس 202330 مارس 2023

سلسلة المنشورات

الاسمIEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
مستوى الصوت2023-March
رقم المعيار الدولي للدوريات (المطبوع)1541-7026

!!Conference

!!Conference61st IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2023
الدولة/الإقليمالولايات المتّحدة
المدينةMonterey
المدة26/03/2330/03/23

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “The Effects of Process Variations and BTI in Packaged FinFET Devices'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا