The contribution of HFO 2 bulk oxide traps to dynamic NBTI in PMOSFET'S

B. Zhu, J. S. Suehle, E. Vogel, J. B. Bernstein

نتاج البحث: فصل من :كتاب / تقرير / مؤتمرمنشور من مؤتمرمراجعة النظراء

1 اقتباس (Scopus)

ملخص

The Negative Bias Temperature Instability (NBTI) under pulsed bias stress conditions of devices with HfO 2 and SiO 2 gate dielectrics are studied and compared. The pulsed stress frequency responses of threshold voltage shift (ΔV th) are quite different for both dielectrics as well as the acceleration parameters. Bulk traps in the HfO 2 film is used to explain these differences. Furthermore, it is shown that cautions must be taken when extrapolating the device lifetime of HfO 2 gate dielectrics.

اللغة الأصليةالإنجليزيّة
عنوان منشور المضيف2005 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 43rd Annual
الصفحات533-537
عدد الصفحات5
حالة النشرنُشِر - 2005
منشور خارجيًانعم
الحدث2005 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 43rd Annual - San Jose, CA, الولايات المتّحدة
المدة: ١٧ أبريل ٢٠٠٥٢١ أبريل ٢٠٠٥

سلسلة المنشورات

الاسمIEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
رقم المعيار الدولي للدوريات (المطبوع)1541-7026

!!Conference

!!Conference2005 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 43rd Annual
الدولة/الإقليمالولايات المتّحدة
المدينةSan Jose, CA
المدة١٧/٠٤/٠٥٢١/٠٤/٠٥

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “The contribution of HFO 2 bulk oxide traps to dynamic NBTI in PMOSFET'S'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا