تخطي إلى التنقل الرئيسي
تخطي إلى البحث
تخطي إلى المحتوى الرئيسي
الصفحة الرئيسية
المساعدة والأسئلة الشائعة
!!Link opens in a new tab
English
עברית
العربية
ابحث عن في المحتوى
الصفحة الرئيسية
الملفات الشخصية
الوحدات البحثية
المعدات
نتاج البحث
الجوائز
أنشطة
الصحافة / وسائل الإعلام
Temperature dependence of responsivity in quantum dot infrared photodetectors
S. E. Schacham
, G. Bahir
, E. Finkman
, F. H. Julien
, J. Brault
, M. Gendry
Department of Electrical and Electronics Engineering
نتاج البحث
:
نشر في مجلة
›
مقالة من مؤنمر
›
مراجعة النظراء
1
اقتباس (Scopus)
معاينة
بصمة
بصمة
أدرس بدقة موضوعات البحث “Temperature dependence of responsivity in quantum dot infrared photodetectors'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.
فرز حسب
الوزن
أبجديًا
Keyphrases
Temperature Effect
100%
Tunneling
100%
Responsivity
100%
Quantum Well Infrared Photodetector
100%
Long Wavelength
50%
Temperature Rise
50%
Excited States
50%
Initial Peak
50%
Photoconductive
50%
InAlAs
50%
Step Processes
50%
Quasicontinuum
50%
Photocarriers
50%
InAs Quantum Dots
50%
Direct Excitation
50%
Engineering
Temperature Dependence
100%
Tunnel Construction
100%
Quantum Dot
100%
Responsivity
100%
Photometer
100%
Step Process
50%
Ground Level
50%
Temperature Increase
50%
Excited State
50%
Physics
Temperature Dependence
100%
Quantum Dot
100%
Photometer
100%
Excitation
50%
Photoconductivity
50%
Chemistry
Drop
100%
Quantum Dot
100%
Excited State
50%
Photoconductivity
50%