Spatial distributions of trapping centers in HfO2/SiO2 gate stack

Dawei Heh, Chadwin D. Young, George A. Brown, P. Y. Hung, Alain Diebold, Eric M. Vogel, Joseph B. Bernstein, Gennadi Bersuker

نتاج البحث: نشر في مجلةمقالةمراجعة النظراء

55 اقتباسات (Scopus)

ملخص

An analysis methodology for charge pumping (CP) measurements was developed and applied to extract spatial distributions of traps in SiO2HfO2 gate stacks. This analysis indicates that the traps accessible by CP measurements in the frequency range down to a few kilohertz are located primarily within the SiO2 layer and HfO2 SiO2 interface region. The trap density in the SiO2 layer increases closer to the high-κ dielectric, while the trap spatial profile as a function of the distance from the high-κ film was found to be dependent on high-κ film characteristics. These results point to interactions with the high-κ dielectric as a cause of trap generation in the interfacial SiO2 layer.

اللغة الأصليةالإنجليزيّة
الصفحات (من إلى)1338-1345
عدد الصفحات8
دوريةIEEE Transactions on Electron Devices
مستوى الصوت54
رقم الإصدار6
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرنُشِر - يونيو 2007
منشور خارجيًانعم

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Spatial distributions of trapping centers in HfO2/SiO2 gate stack'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا