تخطي إلى التنقل الرئيسي
تخطي إلى البحث
تخطي إلى المحتوى الرئيسي
الصفحة الرئيسية
المساعدة والأسئلة الشائعة
English
עברית
العربية
الصفحة الرئيسية
الملفات الشخصية
الوحدات البحثية
نتاج البحث
الجوائز
أنشطة
البحث حسب الخبرة أو الاسم أو الانتماء
Saturation current and excess carrier distribution in exponentially graded p-n junctions
S. E. Schacham
, E. Finkman
نتاج البحث
:
نشر في مجلة
›
مقالة
›
مراجعة النظراء
4
اقتباسات (Scopus)
معاينة
بصمة
بصمة
أدرس بدقة موضوعات البحث “Saturation current and excess carrier distribution in exponentially graded p-n junctions'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.
فرز حسب
الوزن
أبجديًا
Keyphrases
Excess Carriers
100%
P-n Junction
100%
Saturation Current
100%
Exponentially Graded Material
100%
Saturation Excess
100%
Current Carriers
100%
Steady State
25%
HgCdTe
25%
Recombination Mechanism
25%
Analytical Expression
25%
Ohmic
25%
Analytical Solution
25%
Diode
25%
Continuity Equation
25%
Silicon Solar Cells
25%
AuGe
25%
Junction Depth
25%
Surface Concentration
25%
Reflecting Boundary Condition
25%
Dopant Profile
25%
Graded Structure
25%
State Continuity
25%
Bulk Concentration
25%
Diode Parameters
25%
Exponential Function
25%
Engineering
Excess Carrier
100%
Boundary Condition
100%
Continuity Equation
50%
Dopants
50%
Recombination Mechanism
50%
Shockley
50%
Junction Depth
50%
Surface Concentration
50%
Proper Selection
50%
Bulk Concentration
50%
Exponential Function
50%
Solar Cell
50%