تخطي إلى التنقل الرئيسي
تخطي إلى البحث
تخطي إلى المحتوى الرئيسي
الصفحة الرئيسية
المساعدة والأسئلة الشائعة
English
עברית
العربية
الصفحة الرئيسية
الملفات الشخصية
الوحدات البحثية
نتاج البحث
الجوائز
أنشطة
البحث حسب الخبرة أو الاسم أو الانتماء
Properties of insulator interfaces with ρ-HgCdTe
S. E. Schacham
, E. Finkman
نتاج البحث
:
نشر في مجلة
›
مقالة
›
مراجعة النظراء
6
اقتباسات (Scopus)
معاينة
بصمة
بصمة
أدرس بدقة موضوعات البحث “Properties of insulator interfaces with ρ-HgCdTe'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.
فرز حسب
الوزن
أبجديًا
Keyphrases
HgCdTe
100%
Insulator
100%
P-type
50%
Order of Magnitude
50%
Activation Energy
50%
Annealing
50%
Cm(III)
50%
Surface Layer
50%
Positive Charge
50%
Heat Treatment
50%
Complete Recovery
50%
Energy Levels
50%
Increased Temperature
50%
Sulfide
50%
Inversion Layer
50%
Surface Recombination Velocity
50%
Electron Mobility
50%
Hall Coefficient
50%
X-10
50%
Continuous Improvement
50%
Low Carrier Concentration
50%
K-surface
50%
Anneal Process
50%
Image Inversion
50%
Surface Mobility
50%
Engineering
Activation Energy
100%
Heat Treatment
100%
Surface Recombination Velocity
100%
Surface Layers
100%
Carrier Concentration
100%
Material Science
Surface (Surface Science)
100%
Activation Energy
50%
Carrier Concentration
50%
Heat Treatment
50%
Electron Mobility
50%