Novel method of low-vacuum plasma triode sputtering

G. Golan, A. Axelevitch

نتاج البحث: نشر في مجلةمقالةمراجعة النظراء

9 اقتباسات (Scopus)

ملخص

A novel sputtering method based on a triode-sputtering set-up is presented. This low-vacuum plasma method enables sputtering of thin films at a pressure range 0.2-5mTorr, using a supported gas discharge. The new method is capable of an independent control of the sputtering rate vs. sputtering voltage. Temperature distribution of electrons in the plasma was experimentally studied, using the Langmuir probe. Experimental sputtering results of Ti and Si layers, using this method, are described.

اللغة الأصليةالإنجليزيّة
الصفحات (من إلى)651-657
عدد الصفحات7
دوريةMicroelectronics Journal
مستوى الصوت33
رقم الإصدار8
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرنُشِر - أغسطس 2002
منشور خارجيًانعم

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “Novel method of low-vacuum plasma triode sputtering'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا