تخطي إلى التنقل الرئيسي تخطي إلى البحث تخطي إلى المحتوى الرئيسي

High power high voltage bias-T for half wave resonators and radio frequency quadrupole couplers

  • B. Kaizer
  • , L. Weissman
  • , A. Perry
  • , T. Zchut
  • , I. Fishman
  • , J. Rodnizki
  • , M. Eizenshtat
  • , E. Farber

نتاج البحث: نشر في مجلةمقالةمراجعة النظراء

1 اقتباس (Scopus)

ملخص

High power high voltage bias-T units capable of delivering up to 100 kW CW RF power at 176 MHz and up to 4 kV DC were developed at the Soreq Nuclear Research Center for the Soreq Applied Research Accelerator Facility linac. Two separate bias-T units with different requirements were designed for the radio frequency quadrupole couplers and the half wave resonator couplers. The purpose of this bias-T is to prevent multipacting phenomena by application of a high voltage DC bias to inner conductors of RF couplers. Underlying design principles, indigenous development, and successful off-line and on-line tests results are presented.

اللغة الأصليةالإنجليزيّة
رقم المقال053304
دوريةReview of Scientific Instruments
مستوى الصوت93
رقم الإصدار5
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرنُشِر - 1 مايو 2022

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “High power high voltage bias-T for half wave resonators and radio frequency quadrupole couplers'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا