تخطي إلى التنقل الرئيسي
تخطي إلى البحث
تخطي إلى المحتوى الرئيسي
الصفحة الرئيسية
المساعدة والأسئلة الشائعة
English
עברית
العربية
الصفحة الرئيسية
الملفات الشخصية
الوحدات البحثية
المعدات
نتاج البحث
الجوائز
أنشطة
الصحافة / وسائل الإعلام
البحث حسب الخبرة أو الاسم أو الانتماء
Effect of stress interruption and pulsed biased stress on ultra-thin gate dielectric reliability
Bin Wang
, J. S. Suehle
, E. M. Vogel
,
J. B. Bernstein
نتاج البحث
:
نتاج بحثي من مؤتمر
›
محاضرة
›
مراجعة النظراء
6
اقتباسات (Scopus)
معاينة
بصمة
بصمة
أدرس بدقة موضوعات البحث “Effect of stress interruption and pulsed biased stress on ultra-thin gate dielectric reliability'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.
فرز حسب
الوزن
أبجديًا
Keyphrases
Stress Effect
100%
Time-dependent Dielectric Breakdown
100%
Ultrathin
100%
Gate Dielectric
100%
Dielectric Reliability
100%
Detection Method
40%
Life Distribution
40%
Pulse Repetition Frequency
40%
Pulsed Bias
40%
Silica
20%
Frequency Dependence
20%
Frequency up
20%
Current Noise
20%
Low Voltage Stress
20%
Defect Generation
20%
Gate Voltage
20%
Stress Induced Leakage Current
20%
Dielectric Breakdown Test
20%
Dielectric Film
20%
Oxynitride
20%
Breakpoint Detection
20%
Leak Detection
20%
Failure Statistics
20%
Engineering
Dielectrics
100%
Gate Dielectric
100%
Life Distribution
40%
Pulse Repetition Frequency
40%
Detection Technique
40%
Gate Voltage
20%
Stress Induced Leakage Current
20%
Silicon Dioxide
20%
Dielectric Films
20%
Material Science
Electrical Breakdown
100%
Dielectric Material
100%
Detection Technique
40%
Film
20%
Oxynitride
20%
Dielectric Films
20%
Physics
Electrical Breakdown
100%
Dielectric Material
100%
Oxynitrides
20%