تخطي إلى التنقل الرئيسي
تخطي إلى البحث
تخطي إلى المحتوى الرئيسي
الصفحة الرئيسية
المساعدة والأسئلة الشائعة
يفتح الرابط في علامة تبويب جديدة
English
עברית
العربية
ابحث عن في المحتوى
الصفحة الرئيسية
الملفات الشخصية
الوحدات البحثية
المعدات
نتاج البحث
الجوائز
أنشطة
الصحافة / وسائل الإعلام
Design of High-Frequency GaN HEMT-Based DC–DC Converter
Liron Cohen
,
Joseph Baruch Bernstein
,
Ilan Aharon
Department of Electrical and Electronics Engineering
نتاج البحث
:
نشر في مجلة
›
مقالة
›
مراجعة النظراء
1
اقتباس (Scopus)
معاينة
بصمة
بصمة
أدرس بدقة موضوعات البحث “Design of High-Frequency GaN HEMT-Based DC–DC Converter'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.
فرز حسب
الوزن
أبجديًا
Keyphrases
DC-DC Converter
100%
Gallium Nitride
100%
Nitride-based
100%
Gallium Nitride HEMT
100%
Circuitry
33%
Switching Frequency
33%
Pulse Width Modulation
33%
Switching Power Converter
33%
Kilohertz
33%
Proposed Architecture
33%
Power Conversion System
33%
Silicon-based
33%
On chip
33%
Proposed Design
33%
Megahertz
33%
Silicon Devices
33%
Frequency Scaling
33%
Converter Module
33%
High Frequency Power Conversion
33%
On-chip Applications
33%
Transistor
33%
Ring Oscillator
33%
MHz Range
33%
High-frequency Operation
33%
Advanced Systems
33%
Engineering
Nitride
100%
Limitations
25%
Experimental Result
25%
Operating Frequency
25%
Switching Frequency
25%
Power Converter
25%
Power Conversion System
25%
Power Conversion
25%
Silicon Device
25%
System-on-Chip
25%
Transistor
25%