A new method for measuring ambipolar mobility and its implementation in p-type HgCdTe

S. E. Schacham, E. Finkman

نتاج البحث: نشر في مجلةمقالةمراجعة النظراء

5 اقتباسات (Scopus)

ملخص

A new method for measuring the ambipolar mobility is described. It is based on the determination of the travel time of excess carriers between two probes. Maintaining the device under a constant voltage, the travel time is depicted as the separation between two zeros on the output trace. Using this technique the ambipolar mobility of electrons in p-type Hg 0.71Cd0.29Te was measured for the temperature range of 78-256 K.

اللغة الأصليةالإنجليزيّة
الصفحات (من إلى)1161-1164
عدد الصفحات4
دوريةJournal of Applied Physics
مستوى الصوت57
رقم الإصدار4
المعرِّفات الرقمية للأشياء
حالة النشرنُشِر - 1985
منشور خارجيًانعم

بصمة

أدرس بدقة موضوعات البحث “A new method for measuring ambipolar mobility and its implementation in p-type HgCdTe'. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.

قم بذكر هذا