تخطي إلى التنقل الرئيسي
تخطي إلى البحث
تخطي إلى المحتوى الرئيسي
الصفحة الرئيسية
المساعدة والأسئلة الشائعة
English
עברית
العربية
الصفحة الرئيسية
الملفات الشخصية
الوحدات البحثية
نتاج البحث
الجوائز
أنشطة
البحث حسب الخبرة أو الاسم أو الانتماء
عرض الملف الشخصي الخاص بـ Scopus
שמואל שחם
Prof.
Full Professor
,
Department of Electrical and Electronics Engineering
الانتماء السابق
Dean of Students
,
Ariel University
https://orcid.org/0000-0002-0343-5275
1984 …
2024
نتاج الأبحاث سنويًا
معاينة
بصمة
الشبكة
نتاج البحث
(101)
ملفات شخصية مماثلة
(6)
بصمة
تأتي تسميات الموضوعات هذه من أعمال هذا الشخص. فهما يشكلان معًا بصمة فريدة.
فرز حسب
الوزن
أبجديًا
Keyphrases
HgCdTe
93%
Quantum Well Infrared Photodetector
59%
P-type
54%
Excess Carriers
49%
Quantum Well
44%
Photoconductive
44%
Diode
43%
Carrier Concentration
41%
2-dimensional Electron Gas (2DEG)
40%
Antenna
38%
Semiconductors
36%
Superconducting Josephson Junctions
35%
Quantum Dots
34%
Interdigital Capacitor
34%
Saturation Current
33%
Intersubband
33%
Temperature Effect
33%
Photocurrent
31%
Intraband Transition
31%
Room Temperature
31%
Insulator
31%
High-temperature Superconductors
31%
Intersubband Transitions
31%
InSb
29%
Intraband
28%
P-n Junction
27%
InAlAs
27%
Sulfide
27%
Quantum Cascade Detector
27%
Photovoltaic Generator
27%
Delta Doping
25%
Passivation
25%
Aluminum Gallium Nitride (AlGaN)
25%
Low Temperature
25%
Shubnikov-de Haas
23%
Responsivity
23%
Multi-channel
23%
Anodic
23%
Visual Evoked Potentials
23%
Gallium Arsenide
23%
Hg1-xCdxTe
23%
InAs Quantum Dots
20%
Photoconductivity
20%
Recombination Mechanism
20%
Surface Recombination Velocity
19%
Photodetector
19%
Phase Shifter
19%
DC-DC Converter
19%
Capacitors
18%
Photodiode
18%
Engineering
Quantum Well
100%
Quantum Dot
93%
Photometer
82%
Excess Carrier
70%
Carrier Concentration
60%
Photovoltaics
54%
Two Dimensional
52%
Antenna
46%
Responsivity
42%
Front End
40%
Josephson Junction
38%
Gallium Arsenide
38%
Photocurrent
34%
Room Temperature
33%
Surface Concentration
31%
Recombination Mechanism
31%
Experimental Result
28%
Junction Depth
27%
Boundary Condition
25%
Carrier Mobility
25%
Magnetic Field
25%
Frequency Response
24%
Terminal Voltage
24%
Substrate Concentration
23%
Minority Carriers
23%
Transients
23%
Power Conversion System
23%
Multichannel
23%
Temperature Dependence
22%
Superconductor
22%
Depletion Region
22%
Temperature Range
20%
Continuity Equation
20%
Passivation
19%
Dc Converter
19%
Simulation Result
18%
Tunnel Construction
18%
Photodiode
18%
Phase Shifters
17%
Good Agreement
16%
Insertion Loss
15%
Dopant Concentration
15%
Heterostructures
15%
Telecommunication
15%
Maximum Power Point Tracking
15%
Electric Power Factor Correction
15%
Realization
15%
Combiner
15%
Electric Field
15%
Cutoff Frequency
15%
